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Technische Details DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN2015UFDF-7
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DMN2015UFDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN2015UFDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2015UFDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN |
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| DMN2015UFDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Gate charge: 42.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 70A Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.3A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMN2015UFDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Gate charge: 42.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 70A Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.3A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
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