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Technische Details DMN2004K-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DMN2004K-7 nach Preis ab 0.094 EUR bis 0.62 EUR
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V |
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DMN2004K-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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DMN2004K-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V 540mA |
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V |
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DMN2004K-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DMN2004K-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN2004K-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R |
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