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Technische Details DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW, Mounting: SMD, Case: U-DFN3030-8, Pulsed drain current: 27A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 5.2A, On-state resistance: 34mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 920mW, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 8.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMG8601UFG-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMG8601UFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
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DMG8601UFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
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| DMG8601UFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW Mounting: SMD Case: U-DFN3030-8 Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 920mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMG8601UFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW Mounting: SMD Case: U-DFN3030-8 Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 920mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
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