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DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated
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Technische Details DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -10.8A, On-state resistance: 25mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.3W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 58nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Pulsed drain current: -80A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMG7401SFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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DMG7401SFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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DMG7401SFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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DMG7401SFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -10.8A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 58nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -80A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMG7401SFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -10.8A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 58nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -80A |
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