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Technische Details DMG6968UTS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMG6968UTS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
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DMG6968UTS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM |
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DMG6968UTS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
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DMG6968UTS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.018 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMG6968UTS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.018 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMG6968UTS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R |
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