DMG1026UV-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 942000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.20 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| 15000+ | 0.16 EUR |
| 21000+ | 0.15 EUR |
| 75000+ | 0.14 EUR |
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Technische Details DMG1026UV-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2, Anzahl der Pins: 6, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-563, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 580, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, Verlustleistung, p-Kanal: 580, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 410, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 580, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DMG1026UV-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Case: SOT563 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Case: SOT563 |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K |
auf Bestellung 148181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
auf Bestellung 944113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds: 60 Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 Verlustleistung, p-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 410 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 580 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds: 60 Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 Verlustleistung, p-Kanal: 580 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 410 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 580 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 65003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
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