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DMG1016V-7

DMG1016V-7 Diodes Zetex

dmg1016v.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details DMG1016V-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3, Anzahl der Pins: 6, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-563, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 530, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20, Verlustleistung, p-Kanal: 530, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3, Dauer-Drainstrom Id: 870, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 530, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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DMG1016V-7 DMG1016V-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31767.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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DMG1016V-7 DMG1016V-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31767.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
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407+0.18 EUR
658+0.11 EUR
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DMG1016V-7 DMG1016V-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31767.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG1016V-7 DMG1016V-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31767.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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DMG1016V-7 DMG1016V-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31767.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 32
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DMG1016V-7 DMG1016V-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012493092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3
Anzahl der Pins: 6
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-563
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
Verlustleistung, p-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3
Dauer-Drainstrom Id: 870
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 530
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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DMG1016V-7 DMG1016V-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012493092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3
Verlustleistung, p-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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DMG1016V-7 DMG1016V-7 Hersteller : Diodes Inc dmg1016v.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
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