DMG1013UWQ-7 Diodes Zetex
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Technische Details DMG1013UWQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 820mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMG1013UWQ-7 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.53 EUR
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.5Ω Application: automotive industry Power dissipation: 0.31W Version: ESD Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.54A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3529 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.5Ω Application: automotive industry Power dissipation: 0.31W Version: ESD Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.54A |
auf Bestellung 3529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMG1013UWQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
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