![DMG1012T-7 DMG1012T-7](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/d3f17a75ea26bb2373bcb1ef7afacf9035decdc3/sot-523-3.jpg)
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Technische Details DMG1012T-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMG1012T-7 nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.49 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
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DMG1012T-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT523 |
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DMG1012T-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT523 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
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auf Bestellung 2716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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auf Bestellung 949932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
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DMG1012T-7 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1201469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1012T-7 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1201469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1012T-7 | Hersteller : HXY MOSFET |
![]() Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG1012T-7 | Hersteller : DIODES/ZETEX |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 18400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG1012T-7 | Hersteller : DIODES/ZETEX |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG1012T-7 | Hersteller : DIODES/ZETEX |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG1012T-7 | Hersteller : Diodes Inc |
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