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DMC6040SSD-13

DMC6040SSD-13 Diodes Zetex

dmc6040ssd.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMC6040SSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC6040SSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMC6040SSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.79 EUR
202+ 0.35 EUR
213+ 0.34 EUR
2500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMC6040SSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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202+ 0.35 EUR
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DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC6040SSD.pdf MOSFET 31V to 100V Comp Pair Enh FET 60V
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10+ 0.94 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.46 EUR
2500+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC6040SSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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19+ 0.94 EUR
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DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21548-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21548-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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