DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
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| 30000+ | 0.14 EUR |
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Technische Details DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMC2057UVT-7 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMC2057UVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 10344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2057UVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.032 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2057UVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.032 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2057UVT-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R |
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