Produkte > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI048N04PQ2-AQ
DI048N04PQ2-AQ

DI048N04PQ2-AQ Diotec Semiconductor

di048n04pq2.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DI048N04PQ2-AQ Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - DI048N04PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.096 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.096ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 24W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DI048N04PQ2-AQ nach Preis ab 0.60 EUR bis 2.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DI048N04PQ2-AQ DI048N04PQ2-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor di048n04pq2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.87 EUR
14+1.26 EUR
100+0.88 EUR
500+0.70 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 10
DI048N04PQ2-AQ DI048N04PQ2-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor di048n04pq2.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.53 EUR
10+1.99 EUR
100+1.20 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.11 EUR
2500+0.72 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DI048N04PQ2-AQ DI048N04PQ2-AQ Hersteller : DIOTEC 4408146.pdf Description: DIOTEC - DI048N04PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.096ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DI048N04PQ2-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor di048n04pq2.pdf MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, N, 28W
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DI048N04PQ2-AQ Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR di048n04pq2.pdf DI048N04PQ2-AQ-DIO Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar