DGD2190MS8-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details DGD2190MS8-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.5A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.5A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 140ns, Ausgabeverzögerung: 140ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DGD2190MS8-13 nach Preis ab 1.33 EUR bis 2.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DGD2190MS8-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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DGD2190MS8-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DGD2190MS8-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DGD2190MS8-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Gate Drivers HV Gate Driver |
auf Bestellung 5525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DGD2190MS8-13 Produktcode: 189625 |
IC > IC Transistoren-Treiber |
Produkt ist nicht verfügbar
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DGD2190MS8-13 | Hersteller : Diodes Inc |
HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DGD2190MS8-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -4.5÷4.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -4.5...4.5A Operating temperature: -40...125°C Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Supply voltage: 10...20V Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 50ns Pulse fall time: 45ns Number of channels: 1 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DGD2190MS8-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DGD2190MS8-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -4.5÷4.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -4.5...4.5A Operating temperature: -40...125°C Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Supply voltage: 10...20V Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 50ns Pulse fall time: 45ns Number of channels: 1 |
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