DGD2104MS8-13 Diodes Zetex
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Technische Details DGD2104MS8-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 70ns, Ausgabeverzögerung: 35ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DGD2104MS8-13 nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.31 EUR
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Gate Drivers HV Gate Driver |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 70371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R |
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DGD2104MS8-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R |
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