DGD1003FTA-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DGD1003FTA-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DGD1003FTA-13 - MOSFET-Treiber Halbbrücke 680ns Verzögerung, 10V-20V Versorgung, 600mA, V-DFN3035-8, -40°C bis 125°C, tariffCode: 85412900, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: V-DFN3035, Eingang: Invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DGD1003FTA-13 nach Preis ab 0.38 EUR bis 0.99 EUR
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DGD1003FTA-13 | Hersteller : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DGD1003FTA-13 - MOSFET-Treiber Halbbrücke 680ns Verzögerung, 10V-20V Versorgung, 600mA, V-DFN3035-8, -40°C bis 125°CtariffCode: 85412900 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: V-DFN3035 Eingang: Invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DGD1003FTA-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD1003FTA-13 - MOSFET-Treiber Halbbrücke 680ns Verzögerung, 10V-20V Versorgung, 600mA, V-DFN3035-8, -40°C bis 125°C tariffCode: 85412900 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: V-DFN3035 Eingang: Invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| DGD1003FTA-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: HV GATE DRIVER V-DFN3035-8(TYPE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 150 V Supplier Device Package: V-DFN3035-8 Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified |
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| DGD1003FTA-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Half-Bridge Gate Driver |
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| DGD1003FTA-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: HV GATE DRIVER V-DFN3035-8(TYPE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 150 V Supplier Device Package: V-DFN3035-8 Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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