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DG2032EDN-T1-GE4

DG2032EDN-T1-GE4 Vishay / Siliconix


dg2032e.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
Analogue Switch ICs 2.5ohm High Band Dual SPDT
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Technische Details DG2032EDN-T1-GE4 Vishay / Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), On-State Resistance (Max): 3.1Ohm, -3db Bandwidth: 221MHz, Supplier Device Package: 12-QFN (3x3), Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V, Charge Injection: -19.4pC, Crosstalk: -62dB @ 1MHz, Switch Circuit: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm, Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns, Part Status: Active, Number of Circuits: 2.

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DG2032EDN-T1-GE4 DG2032EDN-T1-GE4 Hersteller : Vishay Siliconix dg2032e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
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DG2032EDN-T1-GE4 Hersteller : Vishay dg2032e.pdf 2.5 Ohms, High Bandwidth, Dual SPDT Analog Switch
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DG2032EDN-T1-GE4 DG2032EDN-T1-GE4 Hersteller : Vishay Siliconix dg2032e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
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Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
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Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
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