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DFE322512F-4R7M=P2 Murata Electronics
Hersteller: Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 4.7UH 1.6A 157MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 157mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.3A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.6 A
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Technische Details DFE322512F-4R7M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE322512F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.3 A, DFE322512F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.157ohm, Bauform - Induktivität: 3.2mm x 2.5mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.6A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 2.3A, Produktlänge: 3.2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE322512F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2.5mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DFE322512F-4R7M=P2 nach Preis ab 0.36 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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DFE322512F-4R7M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 4.7 UH 1.6A |
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DFE322512F-4R7M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 4.7UH 1.6A 157MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 157mOhm Max Current - Saturation (Isat): 2.3A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.6 A |
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DFE322512F-4R7M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE322512F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.3 A, DFE322512F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.157ohm Bauform - Induktivität: 3.2mm x 2.5mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 1.6A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2.3A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE322512F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DFE322512F-4R7M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE322512F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.3 A, DFE322512F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.157ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2.3A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE322512F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5052 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DFE322512F-4R7M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.6A 0.157Ohm DCR 1210 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |