DFE252010F-1R0M=P2 Murata Electronics
Hersteller: Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 3.1A 0.048OHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 48mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.1 A
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Technische Details DFE252010F-1R0M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252010F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.1 A, DFE252010F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.048ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.1A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 4.1A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252010F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DFE252010F-1R0M=P2 nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.58 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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DFE252010F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.1A 0.048OHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 48mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.1A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.1 A |
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DFE252010F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 1.0 UH 3.1A |
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DFE252010F-1R0M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252010F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.1 A, DFE252010F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.048ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 3.1A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252010F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DFE252010F-1R0M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252010F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.1 A, DFE252010F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.048ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252010F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| DFE252010F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R |
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