DFE252010F-100M=P2 Murata Electronics
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| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 0.51 EUR |
| 10+ | 0.33 EUR |
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| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.20 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details DFE252010F-100M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.6ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 900mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.3A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252010F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DFE252010F-100M=P2 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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DFE252010F-100M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
 Description: FIXED IND 10UH 900MA 0.6OHM SMDTolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 600mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.3A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 900 mA |
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DFE252010F-100M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.6ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 900mA RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.3A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252010F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DFE252010F-100M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.6ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.3A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252010F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252010F-100M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DFE252010F-100M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DFE252010F-100M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 10UH 900MA 0.6OHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 600mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.3A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 900 mA |
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