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Technische Details DFE252008C-2R2M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252008C-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 1.1 A, DFE252008C Series, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 0.8mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.18ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520], usEccn: EAR99, Sättigungsstrom (Isat): 1.1A, RMS-Strom Irms: -, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252008C Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DFE252008C-2R2M=P2 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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-Height-.80mm.jpg "DFE252008C-2R2M=P2") |
DFE252008C-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
 Description: FIXED IND 2.2UH 950MA 0.18OHM SMTolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 85°C DC Resistance (DCR): 180mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.6A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
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DFE252008C-2R2M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252008C-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 1.1 A, DFE252008C Series, 1008 [Metrisch 2520] tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.18ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520] usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 1.1A RMS-Strom Irms: - Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252008C Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| DFE252008C-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.18Ohm DCR 1008 Standard |
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DFE252008C-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 2.2UH 950MA 0.18OHM SM Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 85°C DC Resistance (DCR): 180mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.6A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
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