DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
Discrete Semiconductor Modules 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 475.45 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA, Supplier Device Package: AG-EASY3B, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 nach Preis ab 525.94 EUR bis 525.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA Supplier Device Package: AG-EASY3B Part Status: Active |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 20mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR Rds(on)-Prüfspannung: 18V hazardous: true Drain-Source-Spannung Vds: 2kV Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm Dauer-Drainstrom Id: 60A Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 50A 40-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |