DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Part Status: Obsolete
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1B11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote DF23MR12W1M1B11BPSA1 nach Preis ab 144.53 EUR bis 151.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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DF23MR12W1M1B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF23MR12W1M1B11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1B11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: EasyPACK CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DF23MR12W1M1B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
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