DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A, Packaging: Tray, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.3mOhm @ 25A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 nach Preis ab 115.76 EUR bis 139.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 17-Pin Tray |
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DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A Packaging: Tray Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.3mOhm @ 25A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA Part Status: Active |
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DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
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| DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 17-Pin Tray |
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