![DF100R07W1H5FPB53BPSA2 DF100R07W1H5FPB53BPSA2](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/2c5dc7bd293a8df04dd7c980dde0af7245021b6e/product_image_easy_1b_-_pressfit_-_blank.jpg)
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 64.26 EUR |
5+ | 61.33 EUR |
10+ | 58.47 EUR |
25+ | 55.66 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote DF100R07W1H5FPB53BPSA2 nach Preis ab 53.44 EUR bis 97.57 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |