DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.093 EUR |
| 6000+ | 0.086 EUR |
| 9000+ | 0.071 EUR |
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Technische Details DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DDTD113ZU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DDTD113ZU-7-F nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DDTD113ZU-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Digital Transistors 200MW 1K 10K |
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DDTD113ZU-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
auf Bestellung 82164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDTD113ZU-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTD113ZU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDTD113ZU-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DDTD113ZU-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DDTD113ZU-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
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