DDB6U75N16W1RBOMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 69A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 69A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DDB6U75N16W1RBOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DDB6U75N16W1RBOMA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 65 A, 1.1 V, Brücke, Modul, 27 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 605A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.1V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 27Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DDB6U75N16W1RBOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U75N16W1RBOMA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 65 A, 1.1 V, Brücke, Modul, 27 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 605A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 27Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDB6U75N16W1RBOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | High Performance Bridge Rectifier |
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DDB6U75N16W1RBOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES | DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT modules |
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