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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-DDB6U50N16W1RP_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fb22db1fb79c4 Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
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Technische Details DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 500A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 960mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 26Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series, productTraceability: No, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 nach Preis ab 54.35 EUR bis 75.56 EUR

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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_DDB6U50N16W1RP_B11_DataSheet_v00_10_CN-3446008.pdf Diode Modules 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Hersteller : INFINEON 3708155.pdf Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 500A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 960mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ddb6u50n16w1rp_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A
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3+71.49 EUR
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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ddb6u50n16w1rp_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A
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