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DB106-G Comchip Technology
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Technische Details DB106-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DB106-G | Hersteller : Comchip Technology |
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DB106-G | Hersteller : Comchip Technology |
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DB106-G | Hersteller : Comchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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DB106G | Hersteller : TI |
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DB106G | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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DB106G | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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DB106G | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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DB106G | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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