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D45H11G

D45H11G ON Semiconductor

d44h-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details D45H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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D45H11G D45H11G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D45H11G D45H11G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D45H11G D45H11G Hersteller : onsemi D44H_D-2310602.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
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D45H11G D45H11G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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D45H11G Hersteller : ON d44h-d.pdf 2010+
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D45H11G D45H11G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D45H11G D45H11G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D45H11G D45H11G Hersteller : onsemi d44h-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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