D12V0HA1U2LP-7B DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D12V0HA1U2LP-7B - ESD-Schutzbaustein, 20 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s), 12 V, 250 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: X1-DFN1006
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Betriebsspannung: 12V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 250mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details D12V0HA1U2LP-7B DIODES INC.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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D12V0HA1U2LP-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D12V0HA1U2LP-7B - ESD-Schutzbaustein, 20 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s), 12 V, 250 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 12V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| D12V0HA1U2LP-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 500W; 13.5÷16.5V; 25A; unidirectional; X1-DFN1006-2 Max. off-state voltage: 12V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 25A Breakdown voltage: 13.5...16.5V Leakage current: 0.1µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.5kW Mounting: SMD Case: X1-DFN1006-2 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| D12V0HA1U2LP-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 500W; 13.5÷16.5V; 25A; unidirectional; X1-DFN1006-2 Max. off-state voltage: 12V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 25A Breakdown voltage: 13.5...16.5V Leakage current: 0.1µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.5kW Mounting: SMD Case: X1-DFN1006-2 |
Produkt ist nicht verfügbar |