D1230N18TXPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1230A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.063 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 1800 V
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Technische Details D1230N18TXPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200AA, A-PUK, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1230A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.063 V @ 800 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 1800 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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D1230N18TXPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode 1.8KV 1.65KA 2-Pin D4814K0-1 Tray |
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