CY7C1061GE30-10BV1XI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray
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Technische Details CY7C1061GE30-10BV1XI Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Access time: 10ns, Case: VFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Supply voltage: 2.2...3.6V DC.
Weitere Produktangebote CY7C1061GE30-10BV1XI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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CY7C1061GE30-10BV1XI | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
Description: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA |
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CY7C1061GE30-10BV1XI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
SRAM Async SRAMS |
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CY7C1061GE30-10BV1XI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM ASYNC |
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| CY7C1061GE30-10BV1XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2.2...3.6V DC |
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