CY7C1041GE30-10ZSXI Infineon Technologies
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Technische Details CY7C1041GE30-10ZSXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.6V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 2.2V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote CY7C1041GE30-10ZSXI nach Preis ab 7.08 EUR bis 12.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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CY7C1041GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IIPackaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY7C1041GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
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CY7C1041GE30-10ZSXI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CY7C1041GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
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CY7C1041GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
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CY7C1041GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
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