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Technische Details CY7C1041GE30-10VXI Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ, Packaging: Tube, Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-SOJ, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY7C1041GE30-10VXI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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CY7C1041GE30-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CY7C1041GE30-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CY7C1041GE30-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Packaging: Tube Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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