CY62157EV30LL-45BVI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 15.63 EUR |
10+ | 14.47 EUR |
25+ | 14.15 EUR |
40+ | 14.07 EUR |
80+ | 12.39 EUR |
230+ | 11.77 EUR |
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Technische Details CY62157EV30LL-45BVI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45BVI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: NO, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: CY62157EV30 MoBL Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote CY62157EV30LL-45BVI
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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CY62157EV30LL-45BVI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45BVI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: NO IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: CY62157EV30 MoBL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY62157EV30LL-45BVI | Hersteller : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY62157EV30LL-45BVI | Hersteller : Cypress Semiconductor | SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM |
auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY62157EV30LL-45BVI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES | CY62157EV30LL45BVI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
Produkt ist nicht verfügbar |