![CSD25481F4T CSD25481F4T](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2301/CSDxxxxF4T.jpg)
CSD25481F4T Texas Instruments
![suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25481f4](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
250+ | 0.61 EUR |
500+ | 0.53 EUR |
1250+ | 0.52 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CSD25481F4T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: LGA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote CSD25481F4T nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD25481F4T | Hersteller : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V |
auf Bestellung 15627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD25481F4T | Hersteller : Texas Instruments |
![]() |
auf Bestellung 1997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD25481F4T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD25481F4T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD25481F4T | Hersteller : Texas Instruments |
![]() |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
CSD25481F4T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -13.1A; 500mW Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -13.1A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.8Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
CSD25481F4T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -13.1A; 500mW Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -13.1A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.8Ω |
Produkt ist nicht verfügbar |