CSD23202W10T Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 250+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1250+ | 0.71 EUR |
| 2500+ | 0.67 EUR |
| 6250+ | 0.64 EUR |
| 12500+ | 0.61 EUR |
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Technische Details CSD23202W10T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DSBGA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote CSD23202W10T nach Preis ab 0.64 EUR bis 1.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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CSD23202W10T | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 12V PCH NexFET |
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CSD23202W10T | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V |
auf Bestellung 15659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD23202W10T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSBGA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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CSD23202W10T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSBGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD23202W10T | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA T/R |
auf Bestellung 32250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD23202W10T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4 Power dissipation: 1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DSBGA4 Drain current: -2.2A On-state resistance: 123mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: NexFET™ Pulsed drain current: -25A Gate-source voltage: ±6V Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -12V |
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| CSD23202W10T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4 Power dissipation: 1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DSBGA4 Drain current: -2.2A On-state resistance: 123mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: NexFET™ Pulsed drain current: -25A Gate-source voltage: ±6V Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -12V |
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