CSD19537Q3 Texas Instruments
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Technische Details CSD19537Q3 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Weitere Produktangebote CSD19537Q3 nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET 100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 14.5 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 |
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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| CSD19537Q3 | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
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| CSD19537Q3 | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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CSD19537Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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