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CSD19533Q5A Texas Instruments
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Technische Details CSD19533Q5A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CSD19533Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
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CSD19533Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V |
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![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V |
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CSD19533Q5A | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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CSD19533Q5A | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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