CSD18510KTTT TEXAS INSTRUMENTS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details CSD18510KTTT TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 274A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote CSD18510KTTT nach Preis ab 1.99 EUR bis 4.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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CSD18510KTTT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Gate charge: 119nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Case: D2PAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18510KTTT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18510KTTT | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET |
auf Bestellung 887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18510KTTT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V |
auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18510KTTT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 274A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18510KTTT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 274A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18510KTTT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD18510KTTT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
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CSD18510KTTT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
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CSD18510KTTT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
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