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CIH10T2N2SNC Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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Technische Details CIH10T2N2SNC Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0022uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R.
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CIH10T2N2SNC | Hersteller : SAMSUNGEM |
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