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CIG10W1R0MNC SAMSUNGEM
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Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.95A 0.2Ohm DCR 0603 T/R
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Technische Details CIG10W1R0MNC SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.95A 0.2Ohm DCR 0603 T/R.
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CIG10W1R0MNC | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
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