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CIG10F2R2MNC SAMSUNGEM
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Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.5A 0.45Ohm DCR 0603 T/R
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Technische Details CIG10F2R2MNC SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.5A 0.45Ohm DCR 0603 T/R.
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CIG10F2R2MNC | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
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