CGHV1F006S MACOM Technology Solutions
Hersteller: MACOM Technology SolutionsDescription: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 950mA
Frequency: 6GHz
Power - Output: 8W
Gain: 16dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 12-DFN (4x3)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 60 mA
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 106.3 EUR |
| 10+ | 99.87 EUR |
| 25+ | 96.64 EUR |
| 100+ | 89.56 EUR |
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Technische Details CGHV1F006S MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad, Current Rating (Amps): 950mA, Frequency: 6GHz, Power - Output: 8W, Gain: 16dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 12-DFN (4x3), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 40 V, Current - Test: 60 mA.
Weitere Produktangebote CGHV1F006S nach Preis ab 102.18 EUR bis 102.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| CGHV1F006S | Hersteller : M/A-COM Technology Solutions |
Trans RF MOSFET N-CH 120V 0.95A 12-Pin DFN EP |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CGHV1F006S | Hersteller : MACOM Technology Solutions |
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad Current Rating (Amps): 950mA Frequency: 6GHz Power - Output: 8W Gain: 16dB Technology: HEMT Supplier Device Package: 12-DFN (4x3) Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 40 V Current - Test: 60 mA |
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CGHV1F006S | Hersteller : MACOM |
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt |
Produkt ist nicht verfügbar |