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CG2H80120D-GP4

CG2H80120D-GP4 MACOM

CG2H80120D-3450265.pdf Hersteller: MACOM
RF JFET Transistors GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
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Technische Details CG2H80120D-GP4 MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 28V DIE, Packaging: Tray, Package / Case: Die, Current Rating (Amps): 28A, Frequency: 8GHz, Power - Output: 120W, Gain: 12dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: Die, Voltage - Rated: 84 V, Voltage - Test: 28 V.

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CG2H80120D-GP4 CG2H80120D-GP4 Hersteller : MACOM Technology Solutions CG2H80120D.pdf Description: RF MOSFET HEMT 28V DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Current Rating (Amps): 28A
Frequency: 8GHz
Power - Output: 120W
Gain: 12dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: Die
Voltage - Rated: 84 V
Voltage - Test: 28 V
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