auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 376.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CCB021M12FM3T Wolfspeed
Description: 21M,1200V, SIC MODULE, 33.8 MM,, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 10mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.9mOhm @ 30A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 15V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote CCB021M12FM3T nach Preis ab 297.64 EUR bis 425.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CCB021M12FM3T | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
CCB021M12FM3T | Hersteller : Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 21mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
CCB021M12FM3T | Hersteller : MACOM |
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 21mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
CCB021M12FM3T | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: 21M,1200V, SIC MODULE, 33.8 MM, Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 10mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.9mOhm @ 30A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 15V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
CCB021M12FM3T | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
CCB021M12FM3T | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin |
Produkt ist nicht verfügbar |