CAB425M12XM3 Wolfspeed
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Technische Details CAB425M12XM3 Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - CAB425M12XM3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 450 A, 1.2 kV, 0.0032 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote CAB425M12XM3 nach Preis ab 1261.81 EUR bis 1264.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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CAB425M12XM3 | Hersteller : MACOM |
 Discrete Semiconductor Modules 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module |
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CAB425M12XM3 | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - CAB425M12XM3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 450 A, 1.2 kV, 0.0032 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CAB425M12XM3 | Hersteller : CREE |
CAB425M12XM3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAB425M12XM3 | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC 2N-CH 1200V 450A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7nF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 425A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1135nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115mA Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |