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C6D10065E

C6D10065E Wolfspeed

wolfspeed_c6d10065e_data_sheet.pdf Hersteller: Wolfspeed
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
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Technische Details C6D10065E Wolfspeed

Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

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C6D10065E C6D10065E Hersteller : Wolfspeed(CREE) C6D10065E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252-2; 43W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 68A
Power dissipation: 43W
Manufacturer series: C6D
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C6D10065E C6D10065E Hersteller : Wolfspeed(CREE) C6D10065E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252-2; 43W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 68A
Power dissipation: 43W
Manufacturer series: C6D
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C6D10065E C6D10065E Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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C6D10065E C6D10065E Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A Gen6
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2550+ 3.73 EUR
C6D10065E Hersteller : Cree, Inc Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf Діод Шоттки TO-252-2 (DPAK) U=650V I=35A(T=25C) Vf=1,27V; Silicon Carbide 6th Gen
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C6D10065E Hersteller : CREE c6d10065e.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 1664 Stücke:
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C6D10065E C6D10065E Hersteller : Wolfspeed wolfspeed_c6d10065e_data_sheet.pdf Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
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C6D10065E C6D10065E Hersteller : Wolfspeed wolfspeed_c6d10065e_data_sheet.pdf Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
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