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BZV55B3V0 L1G TAIWAN SEMICONDUCTOR
![BZV55B2V4%20SERIES_G2301.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; 5mA; SMD; reel,tape; MiniMELF glass; Ir: 4uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF glass
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 4µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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740+ | 0.097 EUR |
905+ | 0.079 EUR |
2500+ | 0.047 EUR |
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Technische Details BZV55B3V0 L1G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: DIODE ZENER 3V 500MW MINI MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V, Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms, Supplier Device Package: Mini MELF, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V.
Weitere Produktangebote BZV55B3V0 L1G nach Preis ab 0.097 EUR bis 0.097 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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BZV55B3V0 L1G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; 5mA; SMD; reel,tape; MiniMELF glass; Ir: 4uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 3V Zener current: 5mA Mounting: SMD Tolerance: ±2% Kind of package: reel; tape Case: MiniMELF glass Semiconductor structure: single diode Leakage current: 4µA |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZV55B3V0 L1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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BZV55B3V0 L1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms Supplier Device Package: Mini MELF Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1 V |
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BZV55B3V0 L1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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