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BZT55C8V2 L1G TAIWAN SEMICONDUCTOR
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Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BZT55C8V2 L1G - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, SOD-80 (MiniMELF), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
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Technische Details BZT55C8V2 L1G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BZT55C8V2 L1G - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, SOD-80 (MiniMELF), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF), rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Anzahl der Pins: 2Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Zener-Spannung, nom.: 8.2V.
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BZT55C8V2 L1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
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